Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4x4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND Goodram


Symbol:
IRP-SSDPR-P44N-512-30
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Cena przesyłki | 0 |
Dostępność |
Mało
|
Zamówienie telefoniczne: 793361000
Zostaw telefon |
|
Pojemność dys...: 512 GB
Format dys...: M.2 2230
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 klucz M
Prędkość odczytu (ma...: 5100 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 300.0
Odczyt loso...: 780000 IOPS
Zapis loso...: 920000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Kolor obudo...: Czarny (Black)
Informacje dodatko...: Kontroler: Phison E21T, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm, 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW
Gwarancja producen...: 60
Format dys...: M.2 2230
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 klucz M
Prędkość odczytu (ma...: 5100 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 300.0
Odczyt loso...: 780000 IOPS
Zapis loso...: 920000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Kolor obudo...: Czarny (Black)
Informacje dodatko...: Kontroler: Phison E21T, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm, 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW
Gwarancja producen...: 60
Informacje dodatko...:
5 letnia producencka z ograniczeniem TBW, Kontroler: Phison E21T, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm
Kolor obudo...:
Czarny (Black)
Interfe...:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dys...:
512 GB
Format dys...:
M.2 2230
Typ dys...:
SSD
Typ złąc...:
M.2 klucz M
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Prędkość odczytu (ma...:
5100 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
780000 IOPS
Zapis loso...:
920000 IOPS
Typ kości pamię...:
3D NAND
Gwarancja producenta [mies...:
60
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.