Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4x4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND Goodram

Symbol: IRP-SSDPR-P44N-512-30
367.93
szt.
Opinie
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Cena przesyłki 0
Kurier (Pobranie) 0
Odbiór osobisty 0
Paczkomaty InPost 12
Poczta Polska 15
Poczta Polska (Pobranie) 20
Kurier 35
Dostępność Mało

Zamówienie telefoniczne: 793361000

Zostaw telefon
Pojemność dys...: 512 GB

Format dys...: M.2 2230

Typ dys...: SSD

Typ kości pamię...: 3D NAND

Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak

Wsparcie dla technologii TR...: Tak

Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Typ złąc...: M.2 klucz M

Prędkość odczytu (ma...: 5100 MB/s

Prędkość zapisu (ma...: 4600 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Writte...: 300.0

Odczyt loso...: 780000 IOPS

Zapis loso...: 920000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h

Kolor obudo...: Czarny (Black)

Informacje dodatko...: Kontroler: Phison E21T, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm, 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW

Gwarancja producen...: 60
Informacje dodatko...:
5 letnia producencka z ograniczeniem TBW, Kontroler: Phison E21T, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm
Kolor obudo...:
Czarny (Black)
Interfe...:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dys...:
512 GB
Format dys...:
M.2 2230
Typ dys...:
SSD
Typ złąc...:
M.2 klucz M
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Prędkość odczytu (ma...:
5100 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
780000 IOPS
Zapis loso...:
920000 IOPS
Typ kości pamię...:
3D NAND
Gwarancja producenta [mies...:
60
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
  • Oceń

Jakość
Funkcjonalność
Cena
Podpis
Opinia