-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 4TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14800/13400 MB/s) SAMSUNG
Symbol:
MZ-VAP4T0CW
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Mało
|
Zamówienie telefoniczne: 793361000
| Zostaw telefon |
|
Pojemność dys...: 4 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (ma...: 14800 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 13400 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 2400.0
Odczyt loso...: 2200000 IOPS
Zapis loso...: 2600000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies...: 60
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (ma...: 14800 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 13400 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 2400.0
Odczyt loso...: 2200000 IOPS
Zapis loso...: 2600000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies...: 60
Informacje dodatko...:
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Waga: Maks. 28 g, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem)
Interfe...:
M.2 PCIe NVMe
Pojemność dys...:
4 TB
Format dys...:
M.2 2280
Typ dys...:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Technika zapisywania dany...:
TLC
Prędkość odczytu (ma...:
14800 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
13400 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
2400.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
2200000 IOPS
Zapis loso...:
2600000 IOPS
Typ kości pamię...:
V-NAND
Gwarancja producenta [mies...:
60
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Podobne produkty
Sklep internetowy na oprogramowaniu
