![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD Samsung 980 1TB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3500/3000 MB/s) TLC SAMSUNG
Symbol:
MZ-V8V1T0BW
| Wpisz swój adres e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Zostaw telefon |
|
Rodzina dysk...: 980
Pojemność dys...: 1 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 3500 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 600.0
Odczyt loso...: 500000 IOPS
Zapis loso...: 480000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Kontroler Samsung Pablo, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), Algorytm Auto Garbage Collection, 256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Tryb uśpienia, Średni pobór mocy: Średnio: 4,6 W Maksymalnie: 5,3 W (tryb Burst), Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus), Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
Pojemność dys...: 1 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 3500 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 600.0
Odczyt loso...: 500000 IOPS
Zapis loso...: 480000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Kontroler Samsung Pablo, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), Algorytm Auto Garbage Collection, 256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Tryb uśpienia, Średni pobór mocy: Średnio: 4,6 W Maksymalnie: 5,3 W (tryb Burst), Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus), Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
Informacje dodatko...:
256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Algorytm Auto Garbage Collection, Kontroler Samsung Pablo, Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus), Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Średni pobór mocy: Średnio: 4,6 W Maksymalnie: 5,3 W (tryb Burst), Tryb uśpienia, Waga: Maks. 8,0 g, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
Interfe...:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Rodzina dysk...:
980
Pojemność dys...:
1 TB
Format dys...:
M.2 2280
Typ dys...:
SSD
Typ złąc...:
M.2 (NGFF)
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Technika zapisywania dany...:
TLC
Prędkość odczytu (ma...:
3500 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
500000 IOPS
Zapis loso...:
480000 IOPS
Typ kości pamię...:
V-NAND
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Podobne produkty
Sklep internetowy na oprogramowaniu
