![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD Samsung 980 250 GB PCIe 3.0 NVMe 1.4 M.2 SSD (2900/1300 MB/s) TLC SAMSUNG
Symbol:
MZ-V8V250BW
| Wpisz swój adres e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Zostaw telefon |
|
Rodzina dysk...: 980
Pojemność dys...: 250 GB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 2900 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 1300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 150.0
Odczyt loso...: 230000 IOPS
Zapis loso...: 320000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Sterownik: Samsung Phoenix Controller, Pamieć podręczna: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM, TRIM, S.M.A.R.T., Algorytm automatycznego oczyszczania pamięci, 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Pobór mocy: Średni: 5,8 W; Maksymalny: 9,0 W, Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine), Oprogramowanie zarządzające: Magician Software for SSD management
Pojemność dys...: 250 GB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 2900 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 1300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 150.0
Odczyt loso...: 230000 IOPS
Zapis loso...: 320000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Sterownik: Samsung Phoenix Controller, Pamieć podręczna: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM, TRIM, S.M.A.R.T., Algorytm automatycznego oczyszczania pamięci, 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Pobór mocy: Średni: 5,8 W; Maksymalny: 9,0 W, Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine), Oprogramowanie zarządzające: Magician Software for SSD management
Informacje dodatko...:
256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine), Oprogramowanie zarządzające: Magician Software for SSD management, Pamieć podręczna: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM, PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Pobór mocy: Średni: 5,8 W; Maksymalny: 9,0 W, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Sterownik: Samsung Phoenix Controller, TRIM, S.M.A.R.T., Algorytm automatycznego oczyszczania pamięci, Waga: Maks. 8,0 g, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
Interfe...:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Rodzina dysk...:
980
Pojemność dys...:
250 GB
Format dys...:
M.2 2280
Typ dys...:
SSD
Typ złąc...:
M.2 (NGFF)
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Technika zapisywania dany...:
TLC
Prędkość odczytu (ma...:
2900 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
1300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
150.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
230000 IOPS
Zapis loso...:
320000 IOPS
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Sklep internetowy na oprogramowaniu
