![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (7250/6300 MB/s) SAMSUNG
Symbol:
MZ-V9S1T0BW
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Mało
|
Zamówienie telefoniczne: 793361000
| Zostaw telefon |
|
Rodzina dysk...: 990 EVO Plus
Pojemność dys...: 1 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (ma...: 7250 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 6300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 600.0
Odczyt loso...: 850000 IOPS
Zapis loso...: 1350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies...: 60
Pojemność dys...: 1 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Technika zapisywania dany...: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe NVMe
Prędkość odczytu (ma...: 7250 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 6300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 600.0
Odczyt loso...: 850000 IOPS
Zapis loso...: 1350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies...: 60
Informacje dodatko...:
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Waga: Maks. 9 g, Wymiary: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Interfe...:
M.2 PCIe NVMe
Rodzina dysk...:
990 EVO Plus
Pojemność dys...:
1 TB
Format dys...:
M.2 2280
Typ dys...:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Technika zapisywania dany...:
TLC
Prędkość odczytu (ma...:
7250 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
6300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
850000 IOPS
Zapis loso...:
1350000 IOPS
Typ kości pamię...:
V-NAND
Gwarancja producenta [mies...:
60
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Podobne produkty
Sklep internetowy na oprogramowaniu
