- 
      Koszyk jest pusty
- 
      x
          Do bezpłatnej dostawy brakuje
          -,--
        
        
          
          Darmowa dostawa!
        
        
        Suma 
        0,00 zł
        
      
            
        Cena uwzględnia rabaty
      
    Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s) SAMSUNG
 
                 
              
            Symbol:
              MZ-V9P1T0CW
            
            
          | Wpisz swój adres e-mail | 
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny | 
| Cena przesyłki | 0 | 
| Dostępność | Brak towaru | 
| Zostaw telefon |  | 
      Rodzina dysk...: 990 PRO
Pojemność dys...: 1 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 7450 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 600.0
Odczyt loso...: 1200000 IOPS
Zapis loso...: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Gwarancja producen...: 60
  Pojemność dys...: 1 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Typ kości pamię...: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 7450 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 600.0
Odczyt loso...: 1200000 IOPS
Zapis loso...: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Gwarancja producen...: 60
              Informacje dodatko...: 
            
            
              
  Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Waga: Maks. 28,0 g, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem)
            
          
              Interfe...: 
            
            
              
  M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
            
          
              Rodzina dysk...: 
            
            
              
  990 PRO
            
          
              Pojemność dys...: 
            
            
              
  1 TB
            
          
              Format dys...: 
            
            
              
  M.2 2280
            
          
              Typ dys...: 
            
            
              
  SSD
            
          
              Typ złąc...: 
            
            
              
  M.2 (NGFF)
            
          
              Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 
            
            
              
  1500000 h
            
          
              Prędkość odczytu (ma...: 
            
            
              
  7450 MB/s
            
          
              Prędkość zapisu (ma...: 
            
            
              
  6900 MB/s
            
          
              TBW (ang. Total Bytes Writte...: 
            
            
              
  600.0
            
          
              Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: 
            
            
              
  Tak
            
          
              Wsparcie dla technologii TR...: 
            
            
              
  Tak
            
          
              Odczyt loso...: 
            
            
              
  1200000 IOPS
            
          
              Zapis loso...: 
            
            
              
  1550000 IOPS
            
          
              Typ kości pamię...: 
            
            
              
  V-NAND
            
          
              Gwarancja producenta [mies...: 
            
            
              
  60
            
          Dane producenta
          SAMSUNG
              PO Box 12987
              D01F5P Dublin
              Ireland
              
                  www.samsung.com/support
      
                              Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
                          
                         
				 
                