-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Darmowa dostawa od 140 PLN
Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s) SAMSUNG
Symbol:
MZ-V9P2T0CW
| Wpisz swój adres e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Zostaw telefon |
|
Rodzina dysk...: 990 PRO
Pojemność dys...: 2 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 7450 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 1200.0
Odczyt loso...: 1400000 IOPS
Zapis loso...: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
Gwarancja producenta [mies...: 60
Pojemność dys...: 2 TB
Format dys...: M.2 2280
Typ dys...: SSD
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....: Tak
Wsparcie dla technologii TR...: Tak
Interfe...: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złąc...: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (ma...: 7450 MB/s
Prędkość zapisu (ma...: 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...: 1200.0
Odczyt loso...: 1400000 IOPS
Zapis loso...: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...: 1500000 h
Informacje dodatko...: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
Gwarancja producenta [mies...: 60
Informacje dodatko...:
256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine), Pamieć podręczna: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Waga: Maks. 28,0 g, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem)
Interfe...:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Rodzina dysk...:
990 PRO
Pojemność dys...:
2 TB
Format dys...:
M.2 2280
Typ dys...:
SSD
Typ złąc...:
M.2 (NGFF)
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTB...:
1500000 h
Prędkość odczytu (ma...:
7450 MB/s
Prędkość zapisu (ma...:
6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Writte...:
1200.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R....:
Tak
Wsparcie dla technologii TR...:
Tak
Odczyt loso...:
1400000 IOPS
Zapis loso...:
1550000 IOPS
Gwarancja producenta [mies...:
60
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.